SCII-F旁流水綜合水處理器工作原理及安裝技術

旁流水處理器SCII-F旁流水綜合水處理器/循環(huán)水處理器/中央空調旁流綜合水處理器/旁通水處理器/循環(huán)水綜合旁流水處理裝置/SCII-F開式冷卻水處理器/SCII-G閉式循環(huán)水處理器/旁流綜合水處理設備/微晶旁流綜合水處理器是在原有的全流式水處理器的基礎上開發(fā)的新一代產品，產品采用脈沖式低壓電場的原理，根據水質的變化自動調整工作輸出信號。水處理器處理后，水分子聚集度降低，結構發(fā)生變化，如水分子的偶極距增加，極性增加，表面張力增大，從而增大了水分子的溶垢能力，達到除垢的目的。

工作原理：

旁流水綜合水處理器原理是在原有全流式水處理器的基礎上開發(fā)出來的，該水處理器采用疊加脈沖的低壓電場原理，根據水質自動調整處理信號，并僅需采用旁流式處理，產品適用于循環(huán)水系統殺菌滅藻除垢處理并去除水中懸浮物。脈沖低壓電場捕獲水中成垢離子，除垢看得見。電場產生具有優(yōu)異防垢功能的微晶，持續(xù)防垢48小時。具有催化活性的電極產生活性氧等強殺菌因子，殺滅細菌和藻類活性物質在碳鋼輸水管內壁形成Fe3O4致密保護膜，防止腐蝕。水中懸浮物在水處理器內被分離并排出系統，使水質更清潔。

除垢效果明顯：

水經過處理器后，水分子聚合度降低，結構發(fā)生變形，產生一系列物理化學性質的微小彈性變化，如水偶極矩增大，極性增加，因而增加了水的水合能力和溶垢能力。特定的能場改變CaCO?結晶過程，抑制水垢產生，提供3產生文石結晶的能量。在電極作用下，處理器產生大量具有優(yōu)異防垢功能的微晶，微晶可將水中易成垢離子優(yōu)先去除，形成疏松的文石，經自動閥排出至系統外的集垢桶內，便于觀察除垢效果，讓垢清晰可見。

殺菌/滅藻：

電場處理水的過程中，溶解氧得到活化，產生O2-、•OH、H2O2以及1O2等活性氧（O2 -是超氧陰離子自由基，•OH是羥基自由基，H2O2 是過氧化氫，O2是單線態(tài)氧）。活性氧自由基對微生物機體產生殺滅作用，是造成微生物衰老的主要原因。

（1）O2 -可損傷重要的生物大分子，造成微生物機體損傷；

（2）O2 -增加微生物機體膜脂過氧化，加速衰老。能殺滅的微生物：嗜肺軍團菌、衣原體、支原體、大腸桿菌、枯草桿菌、黑色變種芽孢、痢疾桿菌、腦膜炎雙球菌、結核桿菌、肝炎病毒、呼吸道病毒等。能殺滅的藻類綠藻：小球藻、柵列藻、裸藻、團藻、實球藻、針連藻、彎月藻、叉星鼓藻、角棘藻、藍藻螺旋藻、微囊藻、硅藻等。

氧化被膜防腐蝕：

活性氧在管道壁上生成氧化膜，阻止管道腐蝕，運行中活性氧對水管壁持續(xù)鍍膜、鈍化。微生物腐蝕、沉積腐蝕被抑制。

設計安裝：

設計選型：

技術參數：

1．處理效果

①.緩蝕率：≤0.092mm/a，管道的銹蝕速度降低至原來的1/10；

②.阻垢、除垢率：≥95%；

③.殺菌率：≥95%；

④.滅藻率：≥90%。

2．進水要求

①.總硬度（以CaCO?計）：≤800mg/L；

②.水溫：≤50℃（特殊情況可定制）；

③.流速：＞1m/s，≤2.8m/s。

3．工作環(huán)境參數

①.工作壓力：≤1.6MPa；

②.系統壓力：≥0.3MPa；

③.工作電壓：220v±10%/50Hz；

④.工作溫度：-25℃ ~ +95℃；

⑤.工作環(huán)境溫度：-25℃ ~ +50℃；

⑥.相對濕度：＜95%（溫度25℃時）；

⑦.輸出功率：50W ~1800W。

安裝須知：

1．按推薦安裝方式設計時，SCII-F的進水口與系統水泵的出水管相連接，SCII-F的出水口與系統水泵的進水管相連接。SCII-F的開啟與關閉由水流開關進行控制。

2．SCII-F的進出水口附近應設置壓力表，水處理器進出水口的水壓可反映水處理器的工作狀況。

3．水處理器應安裝在有較好通風的室內。

4．對于新系統，在系統正式起用前，必須沖洗整個管道系統，排除系統中的焊渣、鐵絲、鋼管氧化皮等雜質，排盡系統中的黃銹水。

5．對于結垢嚴重（垢厚>3mm）的老系統，安裝SCII型旁流綜合水處理器之前應預先清洗整個系統，以防老垢脫落堵塞管道。